辉光放电质谱_光谱仪（GD-MS_OES）

原理：样品作为阴极，在低压氩气（Ar）气氛中施加高电压，氩气电离形成等离子体，氩离子在高电场作用下加速轰击样品表面，通过阴极溅射将样品原子逐层剥离并引入等离子体中进行电离。产生的离子经双聚焦质量分析器（高分辨磁质谱）按质荷比（m/z）分离，由检测器测定各元素信号强度。溅射过程持续进行，可对样品进行深度方向的整体分析，实现固体样品直接进样的高灵敏度多元素同时测定。

分析对象：导电固体材料，包括高纯金属（铜、铝、钛、镍、钴、钨、钼等）、合金（钢铁、高温合金、铝合金、钛合金等）、半导体材料（硅、锗、砷化镓等）、氧化物导电材料及粉末压片样品（需压制成导电块体）。

应用领域：高纯材料分析（痕量杂质元素定性及定量，纯度可达6N级）；半导体行业（硅/锗中ppb级杂质控制）；冶金工业（高纯金属及合金的成分质控）；材料研发（新材料中痕量掺杂物浓度测定）；核工业（核燃料及结构材料中杂质元素严格限值监控）；失效分析（材料中杂质偏析与质量溯源）。